Como sabemos, los componentes electrónicos y semiconductores tienen un tamaño reducido y una alta densidad, por lo que se espera que la perforación láser en ellos sea muy precisa y eficiente. La fuente láser más común utilizada en la perforación láser de cerámica es el láser UV.
La técnica láser utilizada en la cerámica de componentes electrónicos y semiconductores incluye principalmente la perforación láser.
Las cerámicas de óxido de aluminio y nitruro de aluminio presentan una alta conductividad térmica, un elevado aislamiento y una gran resistencia a la temperatura, por lo que tienen amplias aplicaciones en electrónica y semiconductores. Sin embargo, estos materiales cerámicos son muy duros y frágiles, lo que dificulta su mecanizado. La formación de microagujeros resulta especialmente compleja. Dado que el láser ofrece una alta densidad de potencia y una buena directividad, se utiliza frecuentemente para perforar cerámicas. El haz láser se enfoca sobre la pieza mediante un sistema óptico. La luz láser de alta densidad de potencia funde y evapora los materiales, y posteriormente una corriente de aire proveniente del cabezal láser expulsa los materiales fundidos, creando así el orificio.
Como sabemos, los componentes electrónicos y semiconductores tienen un tamaño reducido y una alta densidad, por lo que se espera que la perforación láser en ellos sea altamente precisa y eficiente. La fuente láser más común utilizada en la perforación láser de cerámica es el láser UV. Este láser presenta una zona afectada por el calor muy pequeña y no daña los materiales, lo que lo convierte en la herramienta ideal para perforar los materiales cerámicos de los componentes electrónicos y semiconductores.
Para mantener el óptimo rendimiento del láser UV, se recomienda añadir un enfriador de láser industrial. El enfriador de agua para láser S&A Teyu CWUL-05 es ideal para enfriar láseres UV de 3W a 5W. Su diseño de tuberías evita la formación de burbujas. Además, este enfriador de láser industrial ofrece una estabilidad de temperatura de ±0,2 °C, lo que garantiza un control preciso de la temperatura del láser UV.
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