VR

چرا کنترل دما در تولید نیمه‌هادی‌ها حیاتی است؟

کنترل دقیق دما در تولید نیمه‌هادی‌ها برای جلوگیری از تنش حرارتی، بهبود پایداری فرآیند و افزایش عملکرد تراشه ضروری است. چیلرهای با دقت بالا به کاهش عیوبی مانند ترک و لایه لایه شدن، تضمین آلایش یکنواخت و حفظ ضخامت ثابت لایه اکسید کمک می‌کنند - که از عوامل کلیدی در افزایش بازده و قابلیت اطمینان هستند.

ممکن است 19, 2025

در تولید نیمه‌هادی‌ها، کنترل دقیق دما نقش حیاتی در تضمین کیفیت تراشه، عملکرد و بازده تولید ایفا می‌کند. حتی نوسانات جزئی دما می‌تواند تغییرات قابل توجهی در رفتار مواد و نتایج فرآیند ایجاد کند و به طور بالقوه منجر به نقص یا خرابی دستگاه شود.


چرا کنترل دما در تولید نیمه‌هادی‌ها حیاتی است؟


تأثیر تنش حرارتی

دستگاه‌های نیمه‌هادی از لایه‌های متعددی از مواد با ضرایب انبساط حرارتی (CTE) مختلف تشکیل شده‌اند. به عنوان مثال، ویفرهای سیلیکونی، اتصالات فلزی و لایه‌های دی‌الکتریک در حین گرمایش یا سرمایش سریع با سرعت‌های مختلفی منبسط یا منقبض می‌شوند. این عدم تطابق می‌تواند باعث ایجاد تنش حرارتی شود و منجر به مشکلات جدی در تولید مانند موارد زیر شود:

* ترک‌ها: ترک‌های سطحی یا داخلی در ویفرها می‌توانند یکپارچگی مکانیکی را به خطر بیندازند و منجر به خرابی دستگاه شوند.

* لایه لایه شدن: لایه‌های نازک، مانند لایه‌های فلزی یا دی‌الکتریک، ممکن است از هم جدا شوند و عملکرد الکتریکی و قابلیت اطمینان بلندمدت تراشه را تضعیف کنند.

* تغییر شکل ساختاری: ساختارهای دستگاه ممکن است به دلیل تنش تاب بردارند و باعث مشکلات الکتریکی مانند نشتی یا اتصال کوتاه شوند.


نقش کنترل دما با دقت بالا

سیستم‌های کنترل دمای پیشرفته مانند چیلرهای صنعتی TEYU برای حفظ پایداری دما با دقت استثنایی طراحی شده‌اند. به عنوان مثال، چیلر لیزر فوق سریع TEYU دقت کنترلی تا ±0.08 درجه سانتیگراد را ارائه می‌دهد و پایداری فرآیند را برای تجهیزات نیمه‌هادی حیاتی، از جمله دستگاه‌های حکاکی، سیستم‌های رسوب‌گذاری و دستگاه‌های کاشت یون، تضمین می‌کند.


چیلر لیزری فوق سریع TEYU CWUP-20ANP


مزایای خنک‌کاری دقیق در فرآیندهای نیمه‌هادی

۱. جلوگیری از ترک خوردگی ناشی از تنش حرارتی: چیلرها با حفظ سرمایش یکنواخت، اثرات عدم تطابق CTE بین مواد مختلف را به حداقل می‌رسانند و به طور موثر خطر ترک و لایه لایه شدن را در طول چرخه حرارتی کاهش می‌دهند.

۲. بهبود یکنواختی آلایش: در کاشت یون و عملیات حرارتی پس از آن، شرایط حرارتی پایدار، فعال‌سازی یکنواخت آلایش در سراسر ویفر را تضمین می‌کند و عملکرد و قابلیت اطمینان تراشه را افزایش می‌دهد.

۳. افزایش پایداری لایه اکسید: تنظیم دقیق دما به حذف گرادیان‌های حرارتی لبه به مرکز در طول اکسیداسیون کمک می‌کند و ضخامت یکنواخت اکسید گیت را تضمین می‌کند که برای ویژگی‌های پایدار ترانزیستور بسیار مهم است.


نتیجه‌گیری

کنترل دما در ساخت نیمه‌هادی‌ها ضروری است. با مدیریت حرارتی با دقت بالا، تولیدکنندگان می‌توانند نقص‌های ناشی از تنش حرارتی را کاهش دهند، یکنواختی در فرآیندهای دوپینگ و اکسیداسیون را بهبود بخشند و در نهایت به بازده تراشه بالاتر و عملکرد بهتر دستگاه دست یابند.

اطلاعات اولیه
  • سال تاسیس
    --
  • نوع کسب و کار
    --
  • کشور / منطقه
    --
  • صنعت اصلی
    --
  • محصولات اصلی
    --
  • شرکت حقوقی شرکت
    --
  • کل کارکنان
    --
  • ارزش خروجی سالانه
    --
  • بازار صادرات
    --
  • مشتریان همکاری کردند
    --

وقتی به ما نیاز داشتید ما اینجا هستیم

لطفاً فرم تماس با ما را تکمیل کنید و ما خوشحال می شویم که به شما کمک کنیم.

درخواست خود را ارسال کنید

زبان دیگری انتخاب کنید
English
العربية
Deutsch
Español
français
italiano
日本語
한국어
Português
русский
简体中文
繁體中文
Afrikaans
አማርኛ
Azərbaycan
Беларуская
български
বাংলা
Bosanski
Català
Sugbuanon
Corsu
čeština
Cymraeg
dansk
Ελληνικά
Esperanto
Eesti
Euskara
فارسی
Suomi
Frysk
Gaeilgenah
Gàidhlig
Galego
ગુજરાતી
Hausa
Ōlelo Hawaiʻi
हिन्दी
Hmong
Hrvatski
Kreyòl ayisyen
Magyar
հայերեն
bahasa Indonesia
Igbo
Íslenska
עִברִית
Basa Jawa
ქართველი
Қазақ Тілі
ខ្មែរ
ಕನ್ನಡ
Kurdî (Kurmancî)
Кыргызча
Latin
Lëtzebuergesch
ລາວ
lietuvių
latviešu valoda‎
Malagasy
Maori
Македонски
മലയാളം
Монгол
मराठी
Bahasa Melayu
Maltese
ဗမာ
नेपाली
Nederlands
norsk
Chicheŵa
ਪੰਜਾਬੀ
Polski
پښتو
Română
سنڌي
සිංහල
Slovenčina
Slovenščina
Faasamoa
Shona
Af Soomaali
Shqip
Српски
Sesotho
Sundanese
svenska
Kiswahili
தமிழ்
తెలుగు
Точики
ภาษาไทย
Pilipino
Türkçe
Українська
اردو
O'zbek
Tiếng Việt
Xhosa
יידיש
èdè Yorùbá
Zulu
زبان فعلی:فارسی