Зошто контролата на температурата е критична во производството на полупроводници?

Во производството на полупроводници, прецизната контрола на температурата игра витална улога во обезбедувањето на квалитетот на чипот, перформансите и приносот на производството. Дури и малите температурни флуктуации можат да предизвикаат значителни промени во однесувањето на материјалот и резултатите од процесот, што потенцијално може да доведе до дефекти или дефекти на уредот.

Влијанието на термичкиот стрес

Полупроводничките уреди се состојат од повеќе слоеви на материјали со различни коефициенти на термичка експанзија (CTE). На пример, силиконските плочки, металните меѓуврски и диелектричните слоеви се шират или собираат со различна брзина за време на брзо загревање или ладење. Ова несовпаѓање може да создаде термички стрес, што доведува до сериозни проблеми со производството, како што се:

* Пукнатини: Површинските или внатрешните пукнатини кај плочките можат да го нарушат механичкиот интегритет и да доведат до дефект на уредот.

* Деламинација: Тенките филмови, како што се метални или диелектрични слоеви, може да се одвојат, ослабувајќи ги електричните перформанси на чипот и долгорочната сигурност.

* Структурна деформација: Структурите на уредот може да се искриват поради стрес, предизвикувајќи електрични проблеми како што се протекување или кратки споеви.

Улогата на високопрецизната контрола на температурата

Напредните системи за контрола на температурата, како што се индустриските ладилници TEYU, се дизајнирани да одржуваат стабилност на температурата со исклучителна прецизност. На пример, ултрабрзиот ласерски ладилник на TEYU нуди точност на контрола до ±0,08°C, обезбедувајќи стабилност на процесот за критична полупроводничка опрема, вклучувајќи машини за гравирање, системи за депозиција и јонски имплантатори.

Предности на прецизно ладење во полупроводнички процеси

1. Спречува пукање од термички стрес: Со одржување на рамномерно ладење, ладилниците ги минимизираат ефектите од несовпаѓањето на CTE помеѓу различните материјали, ефикасно намалувајќи го ризикот од пукнатини и деламинација за време на термичкиот циклус.

2. Ја подобрува униформноста на допирањето: При јонска имплантација и последователно жарење, стабилните термички услови обезбедуваат конзистентна активација на допантот низ целата плочка, подобрувајќи ги перформансите и сигурноста на чипот.

3. Ја подобрува конзистентноста на оксидниот слој: Прецизната регулација на температурата помага да се елиминираат термичките градиенти од работ до центарот за време на оксидацијата, обезбедувајќи униформна дебелина на оксидот на портата, што е клучно за конзистентни карактеристики на транзисторот.

Заклучок

Контролата на температурата е неопходна во производството на полупроводници. Со високопрецизно термичко управување, производителите можат да ги намалат дефектите предизвикани од термички стрес, да ја подобрат униформноста во процесите на допирање и оксидација и на крајот да постигнат повисоки приноси на чипови и подобри перформанси на уредите.