Wafere sinn dat Grondmaterial an der Hallefleederproduktioun a déngen als Substrate fir integréiert Schaltungen an aner mikroelektronesch Apparater. Typesch aus monokristallinem Silizium hiergestallt, si Wafere glat, flaach a meeschtens 0,5 mm déck, mat üblechen Duerchmiesser vun 200 mm (8 Zoll) oder 300 mm (12 Zoll). De Produktiounsprozess ass héich komplex a besteet aus Siliziumreinigung, Barrenschneiden, Waferpoléieren, Photolithographie, Ätzen, Ionenimplantatioun, Elektroplatéierung, Wafertesten a schliisslech Waferwürfelen. Wéinst hire Materialeegeschafte verlaangen d'Waferen eng strikt Kontroll iwwer d'Reinheet, d'Flaachheet an d'Defektraten, well dës direkt d'Chipleistung beaflossen.
Gemeinsam Erausfuerderunge beim Wafer-Schneiden
Laser-Dicing-Technologie gëtt wäit an der Waferveraarbechtung agesat wéinst senger héijer Präzisioun a kontaktlose Virdeeler. Wéi och ëmmer, kënne verschidde Qualitéitsproblemer beim Wierfelen optrieden:
Graten a Splitteren: Dës Mängel entstinn dacks duerch inadequater Ofkillung oder ofgenotzt Schnëttwierkszeugen. D'Verbesserung vum Killsystem andeems d'Kältekapazitéit verbessert gëtt an de Waasserfloss erhéicht gëtt, kann hëllefen, eng ongläichméisseg Heizung ze reduzéieren an d'Kanteschied ze minimiséieren.
Reduzéiert Schnëttgenauegkeet: Verursaacht duerch schlecht Maschinnpositionéierung, onstabil Aarbechtsdëscher oder falsch Schnëttparameter. D'Genauegkeet kann duerch d'Verbesserung vun der Maschinnkalibratioun an d'Optimiséierung vun de Parameterastellungen erëm hiergestallt ginn.
Ongläich Schnëttflächen: Verschleiung vun der Klingen, falsch Astellungen oder falsch Ausriichtung vun der Spindel kënnen zu Ongläichheeten an der Uewerfläch féieren. Reegelméisseg Ënnerhalt a Maschinnneikalibrierung si essentiell fir e reibungslosen Schnëtt ze garantéieren.
Roll vu Laserkillmaschinnen beim Wafer-Würfelschneiden
Laser-Kühler
spillen eng wichteg Roll fir d'Leeschtung a Stabilitéit vu Laser- an optesche Systemer, déi beim Wafer-Dicing benotzt ginn, ze erhalen. Duerch eng präzis Temperaturkontroll verhënneren si d'Verdriftung vun der Laserwellenlängt, déi duerch Temperaturschwankungen verursaacht gëtt, wat entscheedend ass fir d'Schnëttgenauegkeet z'erhalen. Effektiv Ofkillung miniméiert och den thermesche Stress beim Wierfelen, wouduerch de Risiko vu Gitterverzerrung, Ofsplitteren oder Mikrorëss reduzéiert gëtt, déi d'Waferqualitéit kompromittéiere kënnen.
Zousätzlech benotzen Laser-Kühler e zougemaachte Waasserkillungssystem, dat de Killkreeslaf virun externer Kontaminatioun isoléiert. Mat integréierten Iwwerwaachungs- an Alarmsystemer verbesseren si d'laangfristeg Zouverlässegkeet vu Wafer-Dicing-Ausrüstung däitlech.
Well d'Qualitéit vum Wafer-Dicking direkt den Chip-Ausbezuelungsverhältnis beaflosst, hëlleft d'Integratioun vun engem zouverléissege Laser-Kühler d'Heefegstfehler ze minimiséieren an eng konsequent Leeschtung ze garantéieren. D'Auswiel vum passenden Killgerät op Basis vun der thermescher Belaaschtung vum Lasersystem an der Betribsëmfeld, zesumme mat reegelméisseger Ënnerhalt, ass de Schlëssel fir e stabile an effiziente Betrib ze garantéieren.
![Improving Wafer Dicing Quality in Laser Processing]()